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●关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”超导领域技术攻关项目申报指南的通知（网上申报：9月25日-10月17日）

●关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”集成电路领域基础研究项目申报指南的通知（网上申报：9月27日-10月21日）

●关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”量子科学领域基础研究项目申报指南的通知（网上申报：9月27日-10月21日）

●关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”空天海洋科技领域（第一批）项目申报指南的通知（网上申报：9月29日-10月22日）

●关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”生物医药创新发展项目申报指南的通知（网上申报：9月29日-10月22日）

●关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”创新药械产品应用示范项目申报指南的通知（网上申报：9月29日-10月22日）

●关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”6G前沿技术领域项目申报指南的通知（网上申报：9月30日-10月23日）

●关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”脑机接口项目指南的通知（网上申报：9月30日-10月23日）

关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”超导领域技术攻关项目申报指南的通知

为加快建设具有全球影响力的科技创新中心，推动超导领域关键技术攻关，培育发展未来产业，根据《上海市建设具有全球影响力的科技创新中心“十四五”规划》，上海市科学技术委员会特发布本指南。

一、征集范围

专题一、超导材料技术

方向1：基于离子辐照的超导带材强场性能提升技术研究

研究目标：

开发连续离子辐照工艺，提升高温超导带材强磁场性能，实现百米级超导带材批量化生产（带材Je达到1000A/mm2@20K/20T，抗拉强度＞500MPa@77K）。

研究内容：

研究离子辐照磁通钉扎优化技术，阐明强磁场下不同维度钉扎中心的协同作用机制，开发卷对卷离子束辐照工艺，研制强场用高性能高温超导带材，并进行测试验证。

执行期限：

2024年12月1日至2026年11月30日。

经费额度：

非定额资助，拟支持不超过1个项目，资助额度不超过500万元，企业自筹经费与申请资助经费的比例不低于1:1。

申报主体要求：

本市企业。

方向2：强场动态磁体用超导带材性能提升技术研究

研究目标：

面向高温超导动态磁体交变负载运行工况，研制高性能超导带材，实现百米级超导带材批量化生产（Ic＞750A/4mm@20K/5T；循环加载值为500MPa的万次拉伸应力后，Ic衰减＜10%)。

研究内容：

开展超导带材多场耦合的结构仿真和性能表征，解析高温超导材料在20K有效缺陷结构，研究超导带材电-热-力稳定性提升工艺，制备高性能带材并进行测试验证。

执行期限：

2024年12月1日至2026年11月30日。

经费额度：

非定额资助，拟支持不超过1个项目，资助额度不超过500万元，企业自筹经费与申请资助经费的比例不低于1:1。

申报主体要求：

本市企业。

方向3：大尺寸超导靶材批量化制备技术研究

研究目标：

研制大尺寸高温超导镀膜靶材（直径≥254mm,致密度达到理论密度的85%以上，纯度≥99.9%），实现百米级超导带材连续制备（临界电流Ic≥120A/4mm@77K，Ic均匀性在±10%以内）。

研究内容：

研究大尺寸、高纯度、组分可调的超导靶材批量化制备关键技术，建立高性能靶材检测与评价体系，开展定制化靶材的高性能超导薄膜镀制工艺研究。

执行期限：

2024年12月1日至2026年11月30日。

经费额度：

非定额资助，拟支持不超过1个项目，资助额度不超过200万元，企业自筹经费与申请资助经费的比例不低于1:1。

申报主体要求：

本市企业。

专题二、超导磁体技术

方向4：高温超导中心螺线管模型磁体交流损耗特性研究

研究目标：

厘清高温超导中心螺线管磁体交流损耗形成机制，研制聚变用模型磁体，20K下最高磁场＞10T，自场磁体变化率＞3T/s，背景磁场变化率＞0.15T/s，新型结构磁体交流损耗下降70%以上。

研究内容：

开展高温超导聚变中心螺线管模型磁体的电磁特性模拟与结构综合优化，获取磁体核心工艺窗口并试制模型磁体，研究磁体交流损耗形成机制，搭建交流损耗测试平台并进行验证。

经费额度：

非定额资助，拟支持不超过1个项目，资助额度不超过500万元。

执行期限：

2024年12月1日至2026年11月30日。

方向5：20K温区高效制冷机技术研究

研究目标：

开展20K温区制冷机研制，实现单台制冷量＞50W、比卡诺效率＞8.5%、无故障运行时间＞10000小时，制备样机并开展应用验证。

研究内容：

研究20K制冷循环损失机理、高效优化设计策略、故障和失效模式以及长寿命保障措施，研制20K制冷机并开展应用验证。

经费额度：

非定额资助，拟支持不超过2个项目，每项资助额度不超过200万元。

执行期限：

2024年12月1日至2026年11月30日。

专题三、超导应用技术

方向6：大尺寸高温超导薄膜生长技术及其应用器件研究

研究目标：

研究高温超导薄膜磁控溅射法生长技术（尺寸≥2英寸、厚度5-70nm、表面粗糙度≤2nm、JC≥2MA/cm2@77K），制备高温超导SQUID器件（噪声≤50fT/Hz1/2）并测试验证。

研究内容：

研究高温超导薄膜磁控溅射生长工艺及薄膜品质的构效关系，揭示薄膜物性与超导电子器件性能之间的关联，进而研制高温超导量子干涉器件，并开展物探测试验证。

经费额度：

非定额资助，拟支持不超过1个项目，资助额度不超过200万元。

执行期限：

2024年12月1日至2026年11月30日。

方向7：面向镁合金形变热处理的高温超导应用技术研究

研究目标：

面向航天装备轻量化需求，开发基于3T高温超导磁感应的镁合金快速均匀热输入装置，研究高温超导形变热处理技术，制备大尺寸高性能镁合金锻件。

研究内容：

优化大体积镁合金的均匀快速热输入装置设计，调控高温超导强磁场环境，研究微观组织结构形成与演化规律及其对力学性能的作用机制，研制直径＞800mm、抗拉强度＞450MPa的高性能镁合金锻件。

经费额度：

非定额资助，拟支持不超过1个项目，资助额度不超过200万元。

执行期限：

2024年12月1日至2026年11月30日。

二、申报要求

除满足前述相应条件外，还须遵循以下要求：

1.项目申报单位应当是注册在本市的法人或非法人组织，具有组织项目实施的相应能力。

2.对于申请人在以往市级财政资金或其他机构（如科技部、国家自然科学基金等）资助项目基础上提出的新项目，应明确阐述二者的异同、继承与发展关系。

3.所有申报单位和项目参与人应遵守科研诚信管理要求，项目负责人应承诺所提交材料真实性，申报单位应当对申请人的申请资格负责，并对申请材料的真实性和完整性进行审核，不得提交有涉密内容的项目申请。

4.申报项目若提出回避专家申请的，须在提交项目可行性方案的同时，上传由申报单位出具公函提出回避专家名单与理由。

5.所有申报单位和项目参与人应遵守科技伦理准则。拟开展的科技活动应进行科技伦理风险评估，涉及科技部《科技伦理审查办法（试行）（国科发监〔2023〕167号）第二条所列范围科技活动的，应按要求进行科技伦理审查并提供相应的科技伦理审查批准材料。

6.已作为项目负责人承担市科委科技计划在研项目2项及以上者，不得作为项目负责人申报。

7.项目经费预算编制应当真实、合理，符合市科委科技计划项目经费管理的有关要求。

三、申报方式

【继续填写】使用“一网通办”登录后，继续该项目的填报。

有关操作可参阅在线帮助。

2.项目网上填报起始时间为2024年9月25日9:00，截止时间（含申报单位网上审核提交）为2024年10月17日16:30。

四、评审方式

采用一轮通讯评审方式。

五、立项公示

上海市科委将向社会公示拟立项项目清单，接受公众异议。

六、咨询电话

服务热线：

（座机）

（手机）

上海市科学技术委员会

2024年9月14日

关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”集成电路领域基础研究项目申报指南的通知

为深入实施创新驱动发展战略，加快建设具有全球影响力的科技创新中心，根据《上海市建设具有全球影响力的科技创新中心“十四五”规划》，上海市科学技术委员会特发布2024年度“科技创新行动计划”集成电路领域基础研究项目申报指南。

一、征集范围

专题一、先进光刻

方向1：面向稳定高功率极紫外光源生成的加速器参数自优化研究

研究目标：针对自由电子激光技术生成极紫外高功率光源中由加速器参数非线性诱发的光源不稳定问题，探索新型加速器参数优化机制，实现光源功率稳定性优于5%。

研究内容：研究大规模复杂通信网络决策优化等理论，发展加速器全局异构参数网络自调节自优化方法，开发加速器多参数协同优化策略，设计可有效提升高功率极紫外光源生成稳定性的加速器参数自优化方案。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度300万元。

方向2：极紫外光源光束稳定性监测与调节研究

研究目标：发展自由电子激光光束稳定性在线监测手段，形成系统性光束诊断和调节方案，实现空间检测稳定性优于5μm、光强检测精度优于0.5%。

研究内容：针对电子枪抖动和波荡器失配等带来的光源输出不稳定性，研究自由电子激光光束稳定性在线监测方法，开发光束位置、强度、光斑分布和相位稳定性的同步综合诊断方法，探索相应的补偿和调节机制。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度300万元。

方向3：极紫外光刻胶二次电子反应动力学研究

研究目标：阐明化学放大型极紫外光刻胶二次电子诱导光酸产生过程的关键影响因素和机制，设计在分辨率20nm、线宽粗糙度2nm条件下灵敏度优于20mJ/cm2的光刻胶配方。

研究内容：研究高能光子激发二次电子诱导光产酸基团（PAG）反应出酸过程中的气体副产物，测量不同PAG种类产酸反应所需的二次电子能量阈值。研究保护基团与二次电子相互作用对产酸过程的干扰，测量保护基团与二次电子直接反应所需的电子能量阈值和二次电子吸收率。设计相应的高灵敏度配方。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

方向4：BEUV光源研究

研究目标：研究目标：开展下一代等离子体发光液体靶材筛选，完成基于高功率激光器的光源方案原理性验证，实现带内辐射CE1%、带内单脉冲功率输出20mJ。

研究内容：基于等离子体仿真等搜寻新靶材体系，开展高Z新材料不透明度、状态方程、激光逆韧致辐射吸收探索和能级轨道辐射谱计算，分析评估最优辐射等离子体温度、密度。量化分析功率、脉宽、焦斑大小等超强超短激光参数对等离子体辐射谱的影响，设计新靶材液滴发生器系统方案。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

方向5：基于多场调控的深紫外超分辨光刻研究

研究目标：针对深紫外光刻在先进技术节点的衍射效应限制，开发基于多场调控的深紫外波段（193nm）超分辨光刻方法，实现在单次曝光条件下15nm以下的曝光图形验证。

研究内容：研究193nm波段材料光学特性，阐明量子效应对其材料介电特性的理论修正。设计并搭建多场调控曝光系统，分析静电等外场对纳米结构的光局域性能和光化学反应的影响，完成曝光、显影和图案转移。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

方向6：高分辨共聚物的精准合成与自组装研究

研究目标：发展微相分离周期小于23nm新型共聚物的合成方法，实现薄膜自组装的垂直相结构，自组装图形关键尺寸小于10nm，单批次合成量不少于5g。

研究内容：探索新型共聚物的合成路径和工艺方案。阐明周期性共聚物形成特征尺寸为亚10nm特定相结构的微相分离规律，实现自组装结构和微相分离行为的精确调控。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

方向7：高分辨周期性共聚物微相分离退火研究

研究目标：开发高分辨周期性共聚物的新型退火方法，实现无错位和图形倒塌缺陷的导向自组装线条和六方密排孔图形，面积≥10μm×10μm、周期≤23nm。

研究内容：针对高χ值共聚物玻璃态转化温度高于分子结构分解温度的问题，研究微相分离和导向自组装机理，开发高通量、大面积的新型退火方案，形成垂直于衬底的层状相和柱状相的低缺陷周期性图形。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度300万元。

方向8：柱状相共聚物分离膜的分离机制研究

研究目标：开发柱状相嵌段聚合物离子分离膜的制备方法，制备对包括Cu2+、Fe3+、Na+、K+、Li+等金杂高效截留的嵌段共聚物分离膜，实现单次光刻胶纯化后的金杂残留达到ppb级，分离膜溶液渗透性≥10LMH/bar。

研究内容：研究柱状相共聚物的微相分离与成孔规律，发展膜孔表面功能化方法。通过对分离膜的精密构筑，实现对溶液中单一/多种离子的快速筛分，建立金杂高效分离的膜通道构筑策略，揭示不同浓度单一/多组分金杂在膜孔内部的差异化传递机制，进行光刻胶纯化验证。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

专题二、未来芯片

方向1：基于低维材料的存算一体电路和芯片设计方法研究

研究目标：构建支持大规模低维材料器件电路仿真的紧凑模型，确立基本数字、模拟电路模块的设计方法，探索大规模存算一体系统芯片的设计和验证方法。要求支持基本的参考电流和电压源、放大器、LDO和8种以上基本门电路，在28nm工艺条件下实现模型漏电流和饱和电流仿真平均误差≤3%，器件仿真规模≥10K，存算一体系统芯片能效≥500TOPS/W，面积效率≥50TOPS/平方毫米。

研究内容：研究支持低维材料器件大规模电路高精度高速仿真的紧凑级模型选择、参数提取和模型优化方法。根据低维材料器件的结构和特性，研究各类基本的数字标准单元、模拟电路模块和存算一体宏单元的设计方法，支持芯片的半定制设计和模块扩展。针对AI等典型应用，研究集成存算一体模块阵列的大规模系统级芯片设计方法，演示验证设计方法的有效性和低维材料器件的优势。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

方向2：存算融合的大模型训推一体架构与芯片研究

研究目标：面向Transformer大模型端侧的高效训练与推理需求，开发基于垂直领域数据集的高效率训练与推理原型芯片，实现计算精度覆盖INT4至BF16等，在28/22nm工艺下实现存内计算峰值能效≥50TFLOPS/W（BF16），训练准确率与GPU训练偏差小于1%。

研究内容：研究基于存算融合的训推一体架构和芯片设计，探索低秩稀疏的轻量化片上训练算法架构协同设计，研制支持混合精度的存内计算核心。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

方向3：基于AI的三维空间计算处理器系统研究

研究目标：基于神经渲染智能三维空间计算新范式，研发高性能、高能效处理器芯片架构并开发原型芯片，实现1920×1080分辨率下30帧/秒的空间计算速度，功耗低于500毫瓦。在此基础上研发相应的高效异构智能三维空间计算系统，完成示范性应用演示。

研究内容：探索基于神经渲染智能三维空间计算管线，分析其计算、访存等方面的特点，研究并行且高效的海量光线（像素）调度和处理方法，研究基于空间局部性和时间冗余性的高效片上存储系统、高效率神经渲染网络计算系统，研发智能三维空间计算处理器芯片架构，搭建可用于示范性应用演示的异构计算系统。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

方向4：三维铁电畴壁存储器研究

研究目标：开发兼容CMOS工艺的铁电畴壁集成技术，制备阵列规模大于128×128、器件良率大于90%的交叉棒存储阵列，实现64Kb高性能铁电畴壁存储原型芯片，为三维铁电畴壁存储提供理论和技术支撑。

研究内容：研究铁电畴壁的导电机理和电畴调控机制，实现逻辑信息的快速写入和读出。探明铁电界面层效应形成机理，提出调节选通管电学特性的理论模型和实验方法。研究基于自对准工艺的小尺寸器件制备方法，提升存储单元的一致性和工艺的稳定性，获得大规模且高良率的交叉棒存储阵列，并进行可靠性测试研究。根据器件电学特性设计相应的操作电路，开发具备完整存储/读取功能的铁电畴壁存储芯片。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度300万元。

方向5：边缘光计算研究

研究目标：针对边缘应用场景对芯片低延时的需求，建立储备池计算芯片的全光深度架构及集成设计方法，试制边缘储备池光计算样片，实现芯片深度≥3层，算力≥3TOPS，时延≤50ns，实现200Gbps光通信信号非线性补偿的能力，误码率降低50%。

研究内容：研究边缘储备池计算的全光深度架构及集成设计方法，开发深度储备池边缘光计算的物理模型并揭示影响其性能的关键物理机制。基于集成光子学平台试制深度储备池光计算芯片，探索其在光通信信号处理领域的应用。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

方向6：高精度光子高速张量卷积计算研究

研究目标：发展高精度光子高速张量卷积计算理论方法，完成张量卷积芯片架构设计，突破片上高精度调制、高线性光放大、光子张量卷积计算芯片集成等关键技术，试制高精度光子高速张量卷积计算芯片样片，实现片上信号光放大不低于3dB，光学链路插入损耗≤0dB或正增益，张量卷积计算有效精度≥8bit，时钟频率≥20GHz，完成典型场景应用验证。

研究内容：面向智能训练、自动驾驶、智慧医疗等智能计算领域对于高精度高速率计算的迫切需求，针对光计算芯片片上损耗导致计算精度受限的共性问题，研究高精度光子高速张量卷积计算理论方法与架构设计，实现片上高精度调制与高线性光放大功能。发展光子张量卷积计算芯片集成工艺，完成高精度光子高速张量卷积计算芯片样片研制。开展芯片性能测试分析以及典型应用场景演示验证。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度300万元。

方向7：神经形态学光信息存储和处理研究

研究目标：开发适合神经形态学光信息存储和处理的新型纳米复合材料，结合人工智能技术，研究、研发新型神经形态学光信息存储和处理的理论，发展基于人工神经网络和人工智能技术的光信息编码解码技术，实现超高的信息存储容量，神经形态学存储介质的存储等效容量达到1Pb。

研究内容：开发基于神经网络与纳米光子学的神经形态学光信息存储和处理技术，实现利用纳米光子学材料和技术的低能耗、高通量、高速度的光信息存储和处理。研发神经形态学光存储技术的纳米光子材料（包括掺杂稀土元素的荧光纳米颗粒、纳米光子学忆阻材料、拓扑纳米光子学材料等），实现基于纳米光子学材料的神经形态学的光信息在三维光存储介质中的编码和解码。开发神经形态光存储的多维光信息编码算法，结合神经形态学光存储纳米光子材料，构建基于神经形态光存储技术的信息存储与处理技术。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

方向8：超宽带光电子调制与接收机理研究

研究目标：面向AI算力中心中快速增长的光互连带宽需求，超前部署研究3.2Tb/s高速超宽带光互连中的关键技术。探索和解决高速电光调制机理、高电谱效率接收原理、高带宽密度光场耦合、光电融合设计方法等关键科学问题。实现硅光器件3dB电光调制带宽≥50GHz，调制电压Vpi5V，3dB光电探测带宽≥50GHz。开展片上高阶调制技术研究，试制硅光发射机样片，发射样片单波长数据率≥400Gb/s，直接检测接收机的单波长数据率≥400Gb/s。探索高密度多通道集成和超高速率传输过程中的片上串扰问题，为3.2Tb/s光互连系统的实现提供支撑。

研究内容：基于硅光平台设计和研制高速超宽带光发射与接收关键器件，突破电光调制效率与传输损耗、光电响应度与探测带宽等内秉矛盾，试制高速光发射和高电谱效率接收机样片、高带宽密度光接口器件，实验验证光收发芯片互连性能并进行误码率测试。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度300万元。

方向9：高速无损光交换架构与动态重构机制研究

研究目标：发展大容差异质集成器件设计技术、高性能异质集成工艺、大规模光交换架构设计方法，验证具备一定规模的无损光交换架构，光交换架构中光开关阵列规模≥8×8，开关插损≤0dB，开关串扰≤-25dB，开关响应时间≤10ns，交换功耗≤5W。

研究内容：面向人工智能对于高速低功耗光交换的需求，针对硅基高速光交换阵列损耗大、规模小的问题，开展异质集成无损耗高速光交换关键技术研究。研究大容差异质集成光开关器件设计原理、多材料界面间黏结力高效大范围调控机理、大规模光交换架构设计、光电融合低功耗光交换方法等关键科学问题，发展硅与III/V异质集成大容差设计方法、阵列片上光放大器异质集成工艺和高密度光电共封装工艺，开展具有一定规模的无损光交换技术探索和架构实现研究，为数据中心和高性能计算提供新的解决方案。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度300万元。

方向10：薄膜铌酸锂非线性光子学研究

研究目标：探索薄膜铌酸锂片上重要微纳结构及器件制备技术路线及工艺方案，研制高效率片上非线性器件，薄膜铌酸锂波导通信波段处传输损耗≤0.3dB/cm，微腔品质因子≥106，刻蚀深度≥1μm，马赫曾德调制器调制效率≤2V·cm，周期极化波导倍频效率≥400%/W·cm，绝对转化效率≥50%@1W，进行非线性频率转换等应用验证。

研究内容：针对干法刻蚀薄膜铌酸锂微观机理和铁电薄膜畴工程动力学过程中的难题，开展铌酸锂刻蚀微观损伤机理及晶格恢复机制、微纳尺度下光与物质相互作用原理、弱光高效非线性增强方法等研究，研究铌酸锂光折变效应及直流漂移问题抑制方法、薄膜铌酸锂畴工程动力学过程以及微纳畴结构制备技术等，开展微纳尺度下光与物质相互作用研究，研制低传输损耗光波导、高品质微腔、低插损低驱压电光调制器和高效率片上非线性频率变换器件，进行非线性光学应用验证。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

方向11：硅基二维材料异质集成研究

研究目标：发展硅基二维材料异质集成工艺，开展硅基二维材料异质集成光电子器件制备，单元器件性能指标偏差≤15%。开展异质集成光计算单元和光探测单元的研制，光计算单元损耗≤0.1dB，权重记忆具有非挥发性，位数≥4bits，擦写速度≤50ns，权重更新功耗达到pJ量级，关键问题计算准确度≥95%。光探测单元接收器件响应度≥0.5A/W，可见光波段工作带宽≥1GHz，通讯波段工作带宽≥30GHz。

研究内容：针对光计算、光互连等领域对光子集成芯片新的应用需求，研究二维材料与硅基衬底之间的界面工程、异质结构电学和光学性能、异质集成微纳器件中二维材料与硅基微结构相互作用机制等，发展高性能二维材料与硅基异质集成工艺，制备具有优异性能和新颖功能的硅基二维材料异质集成光电子器件单元，开展典型应用示范。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

专题三、先进器件与材料

方向1：二维材料低缺陷大面积生长研究

研究目标：针对二维材料在集成电路先进技术节点中的产业化应用前景，揭示MoS2、WSe2等4英寸单晶和12英寸二维材料薄膜生长机理和最佳工艺实现方法。制备12英寸二维材料薄膜，要求随机49个区域单元拉曼光谱峰差标准偏差小于0.8cm-1，顶栅晶体管场效应迁移率≥50cm2/V·s，电流开关比≥108，300K温度下的亚阈值摆幅≤70mV/dec。

研究内容：研究4英寸单晶和12英寸单层二维材料薄膜CVD合成中的低缺陷大面积生长机理，探究前驱体分子对二维材料薄膜生长工艺窗口、生长速率、生长面积、缺陷率的影响机制，探索界面工程、退火工艺等对二维材料薄膜生长面积、缺陷率、电学特性的影响规律，开发4英寸单晶和12英寸低缺陷二维材料薄膜的制备工艺。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度300万元。

方向2：铪基薄膜极化机制和k值提升研究

研究目标：发展铪基高k介质薄膜的k值和耐久性提升方法，实现铪基高k薄膜0.6V工作电压下k值≥60，铪基铁电薄膜矫顽电场≤0.6MV/cm、0.6V工作电压下2Pr≥20C/cm2。

研究内容：针对铪基高k介质薄膜在DRAM存储中的应用，建立原位热场和原位电场晶体结构检测方法，探索铪基薄膜铁电相和反铁电相转变以及极化翻转过程中的热动力学行为。研究极化电荷动力学行为及其对k值的影响规律，建立晶体结构和极化特性对k值调控的耦合机制。基于物理机制指导和工艺参数调控，发展铪基薄膜矫顽电场和工作电压的调控方法以及k值和耐久性的提升方法，建立k值评估的可靠模型。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度300万元。

方向3：钙钛矿氧化物高介电常数材料与工艺研究

研究目标：面向高介电常数材料钛酸锶（SrTiO3）在DRAM存储器中的应用前景，揭示SrTiO3薄膜的原子层沉积（ALD）成膜机制，制备基于SrTiO3介质材料和ALD方法的金属-绝缘体-金属（MIM）电容结构，实现等效氧化层厚度≤0.35nm，漏电流≤3×10-8A/cm2@0.8V，在深宽比为20:1的三维结构表面台阶覆盖率95%。

研究内容：研究原子层沉积工艺中SrTiO3前驱体在金属电极表面成核的理论和实践方法，探究前驱体分子结构对SrTiO3生长工艺窗口、生长速率和致密性的影响机制，研究元素掺杂、界面工程、退火方式等对薄膜介质和电学特性的影响规律，探究基于SrTiO3高介电常数材料的MIM电容器导电机制，探索SrTiO3基高介电常数材料在高深宽比三维结构表面的填充工艺。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

方向4：基于ALD工艺的铪基铁电材料表征与器件性能提升研究

研究目标：发展铪基铁电薄膜和器件的微观缺陷/结构动态表征方法，实现空间分辨优于80pm的铪基铁电相原子结构动态变化表征，发展铪基铁电薄膜纳米晶结构调控方法，实现薄膜铁电相占比≥90%，剩余极化强度2Pr≥70µC/cm2，极化衰减≤10%@125℃/10小时，循环特性≥1010@125℃。

研究内容：开发高空间分辨率原位外场表征技术和高能量分辨率谱学技术，研究原子尺度动态ALD工艺铪基铁电薄膜的相/畴/缺陷/界面等对极化特性的影响机制。研究ALD工艺中铪基铁电薄膜的结构织构化方法以及铁电相/取向调控方法，铁电相比例和剩余极化强度提升方法。在原位温度场下研究器件的唤醒/疲劳/印记效应等，研究微观结构下的高温性能退化机制，设计性能优化与可靠性提升策略。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

专题四、面向集成电路的人工智能应用

方向1：面向集成电路前道量检测成像的语义分割大模型研究

研究目标：针对集成电路前道量检测工序对效率和精度的需求，研发基于AI算法的适用于量检测电镜设备（如CD-SEM等）成像的语义分割大模型。与传统基于阈值的图像分割算法相比，实现5-10倍的计算效率提升，5%-10%的分割精度提升。

研究内容：利用集成电路前道量检测电镜图像及相应语义分割图像数据库进行SOTA图像分割大模型的迁移训练调优，开发小数据集条件下的数据扩容算法及主动增量学习算法，构建适用于量检测电镜成像的快速交互式语义分割大模型。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

方向2：面向先进硅基器件的人工智能建模及参数优化研究

研究目标：研究基于机器学习的快速精准建模方法，要求建模时间缩减到1小时，器件电学特性以及其统计分布精度95%，实现全自动提取100个模型参数，模型精度95%。

研究内容：结合先进硅基器件的电学输出曲线特性，研究多梯度多目标神经网络架构及采样策略，建立适合先进硅基器件的人工智能建模方案。研究人工智能算法在先进硅基器件物理模型参数优化方面的适用性，结合数学优化降维等理论，开发具有泛化性的物理模型建模提参方法，应用于不少于2种先进硅基器件的数据建模。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

方向3：面向导向自组装工艺的大语言模型研究

研究目标：建立大模型高效微调框架，具备接受不同模态输入并执行多种任务的能力，兼容至少一种典型高分子动力学仿真模拟方案。在不少于5个典型工艺场景中完成验证，实现模拟代码生成成功率≥95%，模拟执行与结果输出成功率≥75%。

研究内容：研究基于自然语言、参数问答、手绘草图等形式对嵌段共聚物等关键高分子材料以及引导模板的关键参数进行定义、描述，构建基于大语言模型的智能模拟仿真系统，提高导向自组装工艺仿真模拟的易用性。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

专题五、先进EDA工具

方向1：面向2.5D/3D集成的先进封装材料及器件宽频段、宽温区表征研究

研究目标：研究先进封装材料及器件宽频段、宽温区表征技术，构建先进封装材料及典型结构/器件多物理场数据库，开发面向先进封装的典型器件宽频段、宽温区模型及工艺设计包，提高EDA设计的准确性。实现典型材料介电常数、损耗角与实际值误差小于10%，典型互连线特征阻抗仿真与设计误差小于5%，设计与测试误差小于10%。

研究内容：研究单多模去嵌校准算法和基于电容法、传输线法和谐振腔法等不同材料表征方法及其改进算法的带宽局限性，探索混合去嵌建模和材料宽频段、宽温区表征方法，研究多步去嵌校准算法、剥离算法、时域反射、频域反射等器件特征参数准确提取方法，形成表征技术与建模技术相结合修正EDA器件模型方案。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过2个项目，每项资助额度100万元。

方向2：三维集成芯片布局布线EDA算法研究

研究目标：面向三维集成芯片的跨尺度物理设计，研究集成芯片与三维芯片的布局布线方法，实现TSV和凸点布局布线与物理设计自动化算法，优化线长3%以上。

研究内容：围绕三维芯片的物理实现，研究针对三维芯片考虑物理实现的工艺映射与设计划分，研究信号完整性、跨片时序分析驱动的布线方法，形成TSV和凸点布局布线与物理设计自动化算法，实现支持自主2.5D/3D工艺的布局布线EDA算法。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过2个项目，每项资助额度100万元。

方向3：面向2.5D+3D集成的电磁-热-应力多物理仿真研究

研究目标：面向2.5D+3D集成的高性能计算芯片，研究其电磁-热-应力多物理仿真方法，实现对105量级的互连线规模、5层以上（含shielding层）金属、芯粒边缘布线密度不小于460IO/mm的快速建模与仿真，仿真结果相比国外成熟EDA软件误差小于5%，计算速度提高50%。

研究内容：研究2.5D+3D集成芯片封装结构中的电磁-热-应力场耦合机制，分析芯粒界面耦合机制对2.5D+3D集成封装性能的影响，开发针对超大规模计算芯片的多物理场仿真工具及系统-工艺协同设计EDA工具。研究2.5D+3D芯片在复杂封装环境中的可靠性分析方法。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过2个项目，每项资助额度100万元。

方向4：基于多智能体强化学习的集成电路设计优化研究

研究目标：针对复杂多模块集成电路自动化设计需求，基于多智能体（Multi-agent）强化学习实现多模块电路设计自动化，所设计电路的FOM值与传统优化算法相比提高30%以上，算法效率高于传统算法。

研究内容：针对多模块集成电路设计特点，合理分割子电路模块，研究多智能体强化学习中多个智能体相互作用和子电路优化目标自动设置的方法，研究奖励函数的设置方案和实现算法鲁棒性的方法。在多模块电路原理图的优化设计基础上，进一步开发版图自动设计方法。

执行期限：2025年1月1日至2026年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度100万元。

二、申报要求

除满足前述相应条件外，还须遵循以下要求：

1.项目申报单位应当是注册在本市的法人或非法人组织，具有组织项目实施的相应能力。

2.对于申请人在以往市级财政资金或其他机构（如科技部、国家自然科学基金等）资助项目基础上提出的新项目，应明确阐述二者的异同、继承与发展关系。

3.所有申报单位和项目参与人应遵守科研诚信管理要求，项目负责人应承诺所提交材料真实性，申报单位应当对申请人的申请资格负责，并对申请材料的真实性和完整性进行审核，不得提交有涉密内容的项目申请。

4.申报项目若提出回避专家申请的，须在提交项目可行性方案的同时，上传由申报单位出具公函提出回避专家名单与理由。

5.所有申报单位和项目参与人应遵守科技伦理准则。拟开展的科技活动应进行科技伦理风险评估，涉及科技部《科技伦理审查办法（试行）（国科发监〔2023〕167号）第二条所列范围科技活动的，应按要求进行科技伦理审查并提供相应的科技伦理审查批准材料。

6.已作为项目负责人承担市科委科技计划在研项目2项及以上者，不得作为项目负责人申报。

7.项目经费预算编制应当真实、合理，符合市科委科技计划项目经费管理的有关要求。

8.各研究方向同一单位限报1项。

三、申报方式

【继续填写】使用“一网通办”登录后，继续该项目的填报。

有关操作可参阅在线帮助。

2.项目网上填报起始时间为2024年9月27日9:00，截止时间（含申报单位网上审核提交）为2024年10月21日16:30。

四、评审方式

采用第一轮通讯评审、第二轮见面会评审方式。

五、咨询电话

服务热线：（座机）、（手机）

上海市科学技术委员会

2024年9月19日

关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”量子科学领域基础研究项目申报指南的通知

为深入实施创新驱动发展战略，加快建设具有全球影响力的科技创新中心，根据《上海市建设具有全球影响力的科技创新中心“十四五”规划》，上海市科学技术委员会特发布2024年度“科技创新行动计划”量子科学领域基础研究项目申报指南。

一、征集范围

专题一、拓扑量子计算

方向1：基于马约拉纳体系的拓扑量子计算研究

研究目标：构筑面向拓扑量子计算的新型马约拉纳体系，揭示其物理特征和外场响应规律，提出拓扑量子比特制备方案。

研究内容：揭示分段费米面对材料的物态调控规律并构筑马约拉纳体系，揭示多重马约拉纳态在外场下的响应特征以及相互作用规律，制备具有高转变温度和易调控的新型拓扑超导体，提出基于上述新型马约拉纳体系的拓扑量子比特制备方案。

执行期限：2025年1月1日至2027年12月31日。

经费额度：非定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度不超过500万元。

方向2：面向拓扑量子计算的分数量子霍尔物态研究

研究目标：面向拓扑量子计算，研究莫尔超晶格等新型低维量子体系中分数量子（反常)霍尔态等关联拓扑物态，探索拓扑超导和可用于拓扑量子计算的非阿贝尔分数拓扑物态。

研究内容：制备高质量二维材料输运器件，研究其拓扑平带中的分数量子反常霍尔效应及其他关联拓扑量子物态,寻找适用于拓扑量子计算的非阿贝尔分数拓扑物态；探索二维材料及其莫尔超晶格中的拓扑超导及其在拓扑量子计算中的应用；发展量子多体计算方法，预测二维量子材料中可用于拓扑量子计算的分数拓扑态。

执行期限：2025年1月1日至2027年12月31日。

经费额度：非定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度不超过500万元。

方向3：拓扑量子物态与拓扑量子计算的理论研究

研究目标：发展与拓扑量子计算相关的拓扑量子物态理论，探索利用新的拓扑量子物态进行量子计算的新方案。

研究内容：研究拓扑量子物态新理论，发展利用拓扑激发、拓扑表面态等新的拓扑物态进行量子计算的方案；研究拓扑量子计算容错能力和纠错方案，发展适用于拓扑量子物态的量子纠错码和量子计算算法。

执行期限：2025年1月1日至2027年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过2个项目，每项资助额度150万元。

专题二、新型量子算法

方向1：高维偏微分方程量子求解算法研究

研究目标：面向高维常微分和偏微分方程的求解，构造既适用于量子比特也适用于连续变量的量子模拟算法和数字化量子电路算法，获得相比于经典算法的指数级量子优势。

研究内容：构造量子模拟方法求解一般自洽的线性常微分和偏微分方程，建立具有重要科学和工程应用背景的非线性常微分和偏微分方程在高维空间中的等价线性表示，构造具有量子优势的量子算法用于求解流体力学、动力学、分子动力学等方程并实验实现。

执行期限：2025年1月1日至2027年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度200万元。

方向2：量子储层计算算法研究

研究目标：发展量子储层计算架构并开发典型应用，在有特定价值的机器学习任务中获得预测准确度的显著提升，在中性原子实验体系中展示量子计算优势的前景。

研究内容：基于量子动力学的量子模拟，构建量子储层计算的架构和算法并应用于复杂网络动力学、混沌序列、随机过程预测、金融市场分析等任务，在原子数大于104个的超冷费米气体中实现量子储层计算算法，获得实现显著量子计算优势所需要的实验参数。

执行期限：2025年1月1日至2027年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度200万元。

方向3：量子机器学习算法研究

研究目标：构建新型量子机器学习架构和方法，探索在图像识别、量子态甄别、量子纠缠判定等问题中的应用，发展适用于含噪声量子器件的可行方案。

研究内容：研究量子机器学习的量子线路训练复杂度、非线性表达能力和量子计算加速，提出新架构、新理论、新方法，构建适用于超导量子比特、中性原子、离子阱等系统的方案，用于图像识别、量子态甄别、量子纠缠判定等任务，分析量子机器学习实现量子优势所需要的量子比特数目和线路深度等硬件指标需求。

执行期限：2025年1月1日至2027年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过2个项目，每项资助额度150万元。

方向4：有限温量子模拟算法研究

研究目标：面向量子化学、量子磁性、自旋玻璃等强相互作用的量子多体物理体系设计有限温量子模拟的数字化量子算法，用以求解有限温相变和结合能计算。

研究内容：发展适用于含噪声量子计算硬件的数字化量子模拟算法，计算自由能、热力学熵、比热等，研究有限温相变、量子临界行为、化学反应速率等，研究算法的量子计算复杂度，分析获得显著量子加速所需要的硬件指标，包括量子比特数目、量子门保真度、线路深度等。

执行期限：2025年1月1日至2027年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过2个项目，每项资助额度150万元。

方向5：随机量子测量理论研究

研究目标：基于随机量子测量理论构造刻画大中型量子体系数学结构的新方法，发展验证量子纠缠和量子优势的新理论，提高量子特性刻画、验证和量子算法实现的效率。

研究内容：发展基于随机测量的量子验证和阴影估计等高效量子刻画与验证方法。建立随机测量的基本理论，理清随机测量方法的效率极限。构造刻画与验证高维体系量子关联的高效方法，表征量子计算、量子模拟、量子网络等系统中的量子纠缠特性。面向超导、冷原子、离子阱和量子光学等实验平台构造噪声鲁棒的高效量子测量理论，提升量子算法的实现效率。

执行期限：2025年1月1日至2027年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过2个项目，每项资助额度150万元。

专题三、量子调控研究

方向1：连续变量簇态光量子计算研究

研究目标：基于连续变量簇态构建高容量量子光源、量子逻辑门和纠错技术，发展可扩展、容错和通用的连续变量光量子计算体系。

研究内容：利用光场多自由度构建高纠缠容量的连续变量量子光源，实现多组份连续变量纠缠态。研究高精度相位控制，实验演示两种以上确定性量子逻辑门。探索连续变量簇态光量子计算路线的扩展性、容错性和通用性方面的新原理和新机制。

执行期限：2025年1月1日至2027年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度200万元。

方向2：物质波与高维量子态的高速激光操控研究

研究目标：面向容错量子计算与量子增强精密测量的发展需求，实现原子内态多能级自旋与集体自旋的联合量子压缩，解决旋量物质波和高维量子态的高精度操控和低频噪声容错两大难题。

研究内容：（1）研究高速脉冲容错操控的单量子比特调制和高精度原子干涉，拓展声光等新型高效激光调制手段，发展任意波形矢量光脉冲高维量子态的高保真度制备和操控方法；（2）研究原子系综的内态自旋压缩和集体自旋压缩的联合操控，发展对探测噪声具有鲁棒性的新型量子增强测量方法。

执行期限：2025年1月1日至2027年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过2个项目，每项资助额度150万元。

方向3：玻色子与费米子关联的量子物态和量子干涉研究

研究目标：研究玻色子-费米子强耦合量子系统的新奇物理规律和多体数值方法，发展超越现有测量体系灵敏度的光与原子联合体系干涉测量新方法与操控新机理。

研究内容：（1）研究真空腔中真空量子涨落和电子关联以及两者交互作用产生的新奇物理规律，发展相关量子多体系统的理论方法和数值算法。（2）拓展光-原子耦合体系的尺度和维度，研究量子干涉测量的新原理与量子操控的新方法，实现灵敏度超越并开拓其在相关领域的应用。

执行期限：2025年1月1日至2027年12月31日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过2个项目，每项资助额度150万元。

二、申报要求

除满足前述相应条件外，还须遵循以下要求：

1.项目申报单位应当是注册在本市的法人或非法人组织，具有组织项目实施的相应能力。

2.对于申请人在以往市级财政资金或其他机构（如科技部、国家自然科学基金等）资助项目基础上提出的新项目，应明确阐述二者的异同、继承与发展关系。

3.所有申报单位和项目参与人应遵守科研诚信管理要求，项目负责人应承诺所提交材料真实性，申报单位应当对申请人的申请资格负责，并对申请材料的真实性和完整性进行审核，不得提交有涉密内容的项目申请。

4.申报项目若提出回避专家申请的，须在提交项目可行性方案的同时，上传由申报单位出具公函提出回避专家名单与理由。

5.所有申报单位和项目参与人应遵守科技伦理准则。拟开展的科技活动应进行科技伦理风险评估，涉及科技部《科技伦理审查办法（试行）（国科发监〔2023〕167号）第二条所列范围科技活动的，应按要求进行科技伦理审查并提供相应的科技伦理审查批准材料。

6.已作为项目负责人承担市科委科技计划在研项目2项及以上者，不得作为项目负责人申报。

7.项目经费预算编制应当真实、合理，符合市科委科技计划项目经费管理的有关要求。

8.专题一、专题二、以及专题三之方向1，各研究方向同一单位限报1项。专题三之方向2、3，每项研究内容同一单位限报1项。

三、申报方式

【继续填写】使用“一网通办”登录后，继续该项目的填报。

有关操作可参阅在线帮助。

2.项目网上填报起始时间为2024年9月27日9:00，截止时间（含申报单位网上审核提交）为2024年10月21日16:30。

四、评审方式

采用一轮通讯评审方式。

五、咨询电话

服务热线：（座机）、（手机）

上海市科学技术委员会

2024年9月19日

关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”空天海洋科技领域（第一批）项目申报指南的通知

为深入实施创新驱动发展战略，加快建设具有全球影响力的科技创新中心，根据《上海市建设具有全球影响力的科技创新中心“十四五”规划》，上海市科学技术委员会特发布2024年度“科技创新行动计划”空天海洋科技领域（第一批）项目申报指南。

一、征集范围

专题一、船舶与海洋工程装备

方向1.深海采矿长距离输送系统关键技术与装备

研究目标：面向深海复杂环境下大深度粗颗粒矿物输送实际需求，研制高通过性动力提升装置、超长输送管道、大深度中继舱等关键设备，输送矿料固体颗粒度最大100mm，单根管道长度不低于20m、管径250mm，中继舱湿结核转运能力175t/h，为5000m级全系统海试提供关键系统装备支撑。

研究内容：开展耐磨损多级流道设计与轴向水动力载荷控制、高效连接输矿管道接头设计、中继舱辅助姿态调整等关键技术研究，研发多级矿浆输送泵、输矿管道及接头、中继舱等输送系统，并完成试验验证。

执行期限：2024年12月1日到2027年11月30日。

经费额度：非定额资助，拟支持不超过1个项目，市科委资助经费不超过700万元。企业牵头申报时，自筹经费与申请资助经费之比不低于2:1。

方向2.熔盐堆系统在商船中应用的可行性方案研究

研究目标：突破适用于海洋环境下商船用熔盐堆系统总体控制技术，完成熔盐堆运行稳态和瞬态特性分析评价，形成基于商船任务特性的熔盐堆概念设计及运行控制方案。

研究内容：研究面向30万吨级商船用40MW熔盐堆总体设计关键技术，研发熔盐堆及辅助系统总体布置方案、熔盐堆系统专用分析软件和仿真实验平台。

执行期限：2024年12月1日到2027年11月30日。

经费额度：非定额资助，拟支持不超过1个项目，市科委资助经费不超过400万元。企业牵头申报时，自筹经费与申请资助经费之比不低于2:1。

方向3.深远海铺缆船关键技术与装备

研究目标：围绕海上风电向深水化、大型化发展的需求，研发一型同心双电缆转盘双通道铺缆系统的大吨位铺缆船，载缆量不低于15000吨，具备无限航区自航、DP2动力定位作业能力，作业水深不低于200米，获得中国船级社型式审查认可。

研究内容：研究深远海大型铺缆船总体设计关键技术，研发同心双电缆转盘双通道铺缆系统。

执行期限：2024年12月1日到2026年11月30日。

经费额度：非定额资助，拟支持不超过1个项目，市科委资助经费不超过400万元。企业牵头申报时，自筹经费与申请资助经费之比不低于2:1。

专题二、极地与深地

方向1.极寒场址适航性监测系统关键技术

研究目标：研制出极寒场址适航性监测系统，实现气象条件、冰雪环境、道面形变等关键特性指标的智能化监测，建立适航性评估标准。

研究内容：开展极寒场址气象、通信导航、冰雪道面性能监测等关键技术研究，在冰雪场地开展试验验证。

执行期限：2024年12月1日到2026年11月30日。

经费额度：非定额资助，拟支持不超过1个项目，市科委资助经费不超过300万元。企业牵头申报时，自筹经费与申请资助经费之比不低于2:1。

方向2.面向超大城市地下空间的缪子探测和成像关键技术

研究目标：突破高精度缪子探测成像关键技术，研制出适用于超大城市地下空间的无人缪子探测验证设备，位置分辨率≤5mm、角度分辨率≤10mrad，满足未来城市开发和安全运行的地下空间长期有效无人探测需求。

研究内容：研发高抗干扰三维密度成像核心算法，开展缪子技术在沉管隧道上方淤泥厚度监测、地下管线探测中的可行性和准确性验证研究。

执行期限：2024年12月1日到2026年11月30日。

经费额度：非定额资助，拟支持不超过1个项目，市科委资助经费不超过300万元。企业牵头申报时，自筹经费与申请资助经费之比不低于2:1。

二、申报要求

除满足前述相应条件外，还须遵循以下要求：

1.项目申报单位应当是注册在本市的法人或非法人组织，具有组织项目实施的相应能力。

2.对于申请人在以往市级财政资金或其他机构（如科技部、国家自然科学基金等）资助项目基础上提出的新项目，应明确阐述二者的异同、继承与发展关系。

3.所有申报单位和项目参与人应遵守科研伦理准则，遵守相关科研管理规定，符合科研诚信管理要求。项目负责人应承诺所提交材料真实性，申报单位应当对申请人的申请资格负责，并对申请材料的真实性和完整性进行审核，不得提交有涉密内容的项目申请。

4.申报项目若提出回避专家申请的，须在提交项目可行性方案的同时，上传由申报单位出具公函提出回避专家名单与理由。

5.所有申报单位和项目参与人应遵守科技伦理准则。拟开展的科技活动应进行科技伦理风险评估，涉及科技部《科技伦理审查办法（试行）（国科发监〔2023〕167号）第二条所列范围科技活动的，应按要求进行科技伦理审查并提供相应的科技伦理审查批准材料。

6.所有申报单位和项目参与人应遵守人类遗传资源管理相关法规和病原微生物实验室生物安全管理相关规定。

7.已作为项目负责人承担市科委科技计划在研项目2项及以上者，不得作为项目负责人申报。

8.项目经费预算编制应当真实、合理，符合市科委科技计划项目经费管理的有关要求。

三、申报方式

【继续填写】登录已注册申报账号、密码后继续该项目的填报。

有关操作可参阅在线帮助。

2.项目网上填报起始时间为2024年9月29日9:00，截止时间（含申报单位网上审核提交）为2024年10月22日16:30。

四、评审方式

采用一轮通讯评审方式。

五、立项公示

上海市科委将向社会公示拟立项项目清单，接受公众异议。

六、咨询电话

服务热线：（座机）、（手机）

上海市科学技术委员会

2024年9月20日

关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”生物医药创新发展项目申报指南的通知

为深入实施创新驱动发展战略，加快建设具有全球影响力的科技创新中心，根据《上海市建设具有全球影响力的科技创新中心“十四五”规划》，上海市科学技术委员会特发布2024年度“科技创新行动计划”生物医药创新发展项目申报指南。

一、征集范围

专题一、生物、化学新药研发

方向1.新药临床研究

研究目标：完成创新药物（药品注册分类1类）I、II或III期临床试验（其中细胞与基因治疗1类新药需完成早期临床试验或确证性临床试验）并取得临床试验总结报告。

研究内容：根据国家药品监督管理局许可的创新药物临床试验方案，开展I、II或III期临床试验（早期临床试验或确证性临床试验）。

执行期限：2024年12月1日至2027年11月30日。

经费额度：非定额资助，I期临床试验每项不超过100万元，II期临床试验（早期临床试验）每项不超过150万元，III期临床试验（确证性临床试验）每项不超过300万元。

申报主体要求：本市企业。申报时须扫描上传临床试验批准通知书、伦理批件及其它相关证明文件。申报II、III期以及确证性临床试验的项目还须扫描上传前一期临床试验总结报告摘要、相关结论意见等重要内容。

专题二、中药创新与传承

方向1.中药创新药临床研究

研究目标：完成中药新药I、II或III期临床试验并获得临床试验总结报告。

研究内容：根据国家药品监督管理局许可的中药新药临床试验方案，开展I、II或III期临床试验。

执行期限：2024年12月1日至2027年11月30日。

经费额度：非定额资助，I期临床试验每项不超过100万元，II期临床试验每项不超过150万元，III期临床试验每项不超过300万元。

申报主体要求：本市企业。申报时须扫描上传临床试验批准通知书、伦理批件及其它相关证明文件。申报II、III期临床试验的项目还须扫描上传前一期临床试验总结报告摘要、相关结论意见等重要内容。

方向2.古代经典名方中药复方制剂研究

研究目标：完成古代经典名方品种（指国家中医药管理局发布的《古代经典名方目录（第一批）》《古代经典名方目录（第二批儿科部分）》和《古代经典名方目录（第二批）》收载品种）的药学及非临床安全性研究，提交产品上市注册申请并获得受理号。

研究内容：按照《药品注册管理办法》《中药注册管理专门规定》《古代经典名方关键信息考证原则》《古代经典名方中药复方制剂简化注册审批管理规定》《古代经典名方关键信息表》等相关规定，完成申报古代经典名方中药复方制剂所要求的关键信息考证及研究、药学研究、安全性评价等。

执行期限：2024年12月1日至2027年11月30日。

经费额度：非定额资助，每项资助额度不超过150万元。

申报主体要求：本市企业。

专题三、医疗器械与装备开发

方向1.第二、三类医疗器械工程化样机/样品研制

研究目标：完成第二、三类医疗器械工程化样机/样品研制，取得国家认可的第三方检测机构出具的型检报告。

研究内容：针对医学影像诊疗设备、微创植介入器械、体外诊断设备等第二、三类医疗器械实验室样机/样品，进一步优化产品的关键技术参数，明确并验证相关生产工艺，形成产品技术要求，研制出工程化样机/样品。

执行期限：2024年12月1日至2027年11月30日。

经费额度：非定额资助，每项资助额度不超过100万元。

申报主体要求：本市医疗器械生产企业申报（须扫描上传本市药监部门颁发的医疗器械生产许可证）。

方向2.第二、三类医疗器械的注册临床评价

研究目标：完成产品的注册临床评价，并获得国家药品监督管理部门颁发的产品注册申请受理号。

研究内容：针对已获国家认可的第三方检测机构型检报告的第二、三类医疗器械，开展以产品注册申报为导向的临床试验研究，验证其临床的安全性与有效性，并完成临床评价。

执行期限：2024年12月1日至2027年11月30日。

经费额度：非定额资助，每项资助额度不超过100万元。

专题四、生物医药产业技术研究

方向1.新型药物制剂开发与应用

研究目标：开发具有自主知识产权的药物新剂型，获得相关发明专利申请号，在具有GLP资质的机构完成新剂型药物的有效性和安全性等关键技术指标评价并形成相关研究报告。

研究内容：以提高药物安全性、有效性、稳定性以及用药依从性等为导向，围绕药物制剂新剂型、新技术的开发与应用，开展包括药物修饰、微环境调控或药物载体等新型药物制剂的研究（包括但不限于微球、纳米晶、外泌体、3D打印药物制剂、蛋白多肽等）。

执行期限：2024年12月1日至2027年11月30日。

经费额度：非定额资助，每项资助额度不超过150万元。

申报主体要求：本市企业。

二、申报要求

除满足前述相应条件外，还须遵循以下要求：

1.项目申报单位应当是注册在本市的法人或非法人组织，具有组织项目实施的相应能力。

2.对于申请人在以往市级财政资金或其他机构（如科技部、国家自然科学基金等）资助项目基础上提出的新项目，应明确阐述二者的异同、继承与发展关系。

3.所有申报单位和项目参与人应遵守科研诚信管理要求，项目负责人应承诺所提交材料真实性，申报单位应当对申请人的申请资格负责，并对申请材料的真实性和完整性进行审核，不得提交有涉密内容的项目申请。

4.申报项目若提出回避专家申请的，须在提交项目可行性方案的同时，上传由申报单位出具公函提出回避专家名单与理由。

5.所有申报单位和项目参与人应遵守科技伦理准则。拟开展的科技活动应进行科技伦理风险评估，涉及科技部《科技伦理审查办法（试行）》（国科发监〔2023〕167号）第二条所列范围科技活动的，应按要求进行科技伦理审查并提供相应的科技伦理审查批准材料。

6.所有申报单位和项目参与人应遵守人类遗传资源管理相关法规和病原微生物实验室生物安全管理相关规定。

7.已作为项目负责人承担市科委科技计划在研项目2项及以上者，不得作为项目负责人申报。

8.项目经费预算编制应当真实、合理，符合市科委科技计划项目经费管理的有关要求。

9.每位项目负责人申报项目不超过1项。

三、申报方式

【继续填写】使用“一网通办”登录后，继续该项目的填报。

有关操作可参阅在线帮助。

2.项目网上填报起始时间为2024年9月29日9:00，截止时间（含申报单位网上审核提交）为2024年10月22日16:30。

四、评审方式

采用一轮通讯评审方式。

五、立项公示

上海市科委将向社会公示拟立项项目清单，接受公众异议。

六、咨询电话

服务热线：（座机）、（手机）

上海市科学技术委员会

2024年9月20日

关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”创新药械产品应用示范项目申报指南的通知

为深入实施创新驱动发展战略，加快建设具有全球影响力的科技创新中心，根据《上海市人民政府办公厅关于支持生物医药产业全链条创新发展的若干意见》（沪府办规〔2024〕9号）等文件要求，支持创新药械产品在医疗机构开展示范应用与推广，推动生物医药产业创新发展，加快本市建设具有国际影响力的生物医药产业创新高地，上海市科学技术委员会发布2024年度“科技创新行动计划”创新药械产品应用示范项目申报指南。

一、征集范围

专题一、创新药品应用示范

方向1.创新药品临床应用示范

项目目标：支持2019年1月1日之后获批上市的1类、2类新药上市后使用，进行真实世界疗效评价，加快临床医疗使用数据积累，形成研究成果，实现相关药品的推广应用。

考核指标：

（1）推动申报药品进入牵头及参与医疗机构的用药目录（细胞与基因治疗及罕见病类药物除外）；

（2）制定临床应用方案，开展相关真实世界数据分析，内容可包含：药理药效、不良反应监测、生存质量评估、死亡率水平、药物经济学等，根据研究情况撰写总结报告，并发表高水平文章；

（3）示范应用的临床人群规模应不低于该药物临床试验样本数的5倍（细胞与基因治疗及罕见病类药物不低于3倍）；

（4）开展不少于6次学术交流活动，推动产品在其他医疗机构入院应用；

（5）达成以下成果：纳入至少1项专家共识、诊疗规范、标准或临床诊疗指南等。

执行期限：2024年12月1日至2027年11月30日。

经费额度：非定额资助，每项不超过120万元。

申报主体要求：本市医疗机构与企业组成“1+N+1”联合体共同申报，由1家本市三甲医疗机构牵头、N家医疗机构（3-4家）和1家本市药品上市许可持有人共同参与。

方向2.创新药品适应症拓展研究

项目目标：完成2019年1月1日之后获批上市的1类、2类新药新适应症、联合用药等研究。

考核指标：针对本市单位取得的注册批件的创新药品，开展增加适应症或增加与其他药物联合用药的临床试验，提交相应注册申请。

执行期限：2024年12月1日至2027年11月30日。

经费额度：非定额资助，每项不超过120万元。

申报主体要求：本市医疗机构与企业组成“1+N+1”联合体共同申报，由1家本市三甲医疗机构牵头、N家医疗机构（3-4家）和1家本市药品上市许可持有人共同参与。

专题二、创新医疗器械应用示范

方向1.创新医疗器械临床应用示范

考核指标：

（1）推动申报医疗器械进入牵头及参与医疗机构入院应用；

（2）制定临床应用评价方案，开展相关真实世界数据分析，医疗机构开展不少于300例应用数据收集，对功能、性能、可靠性、可用性、经济性、临床效果等进行评价，形成应用评价报告，并发表高水平文章；

（3）结合各自领域，建立创新医疗器械使用规范或技术规范或评价指标体系等，制定专家共识或诊疗指南等；

（4）医疗机构提出创新医疗器械改进建议，企业改进提升医疗器械质量性能，并形成新一代样品；

（5）开展不少于6次创新医疗器械产品宣传和推广，推动产品在其他医疗机构入院应用；

（6）开展不少于6次创新医疗器械使用人员培训，培养一批专业技术人才队伍；

（7）申报主体可共同研制新医疗器械，形成产医融合创新成果。

执行期限：2024年12月1日至2027年11月30日。

经费额度：非定额资助，每项不超过60万元。

申报主体要求：本市医疗机构与企业组成“1+N+1”联合体共同申报，由1家本市三甲医疗机构牵头、N家医疗机构（3-4家）和1家本市医疗器械注册人共同参与。

方向2.创新医疗器械适应症拓展研究

项目目标：完成2019年1月1日之后首次获批上市的第三类医疗器械（产品应当创新性强、技术水平先进、临床应用价值高以及综合社会效应好）拓展适用范围、增加预期用途等研究。

考核指标：针对本市单位取得的注册批件的创新医疗器械，拓展适用范围、增加预期用途，完成注册临床评价，提交注册申请。

执行期限：2024年12月1日至2027年11月30日。

经费额度：非定额资助，每项不超过60万元。

申报主体要求：本市医疗机构与企业组成“1+N+1”联合体共同申报，由1家本市三甲医疗机构牵头、N家医疗机构（3-4家）和1家本市医疗器械注册人共同参与。

二、申报要求

除满足前述相应条件外，还须遵循以下要求：

1.项目申报单位应当是注册在本市的法人或非法人组织，具有组织项目实施的相应能力。

2.对于申请人在以往市级财政资金或其他机构（如科技部、国家自然科学基金等）资助项目基础上提出的新项目，应明确阐述二者的异同、继承与发展关系。

3.所有申报单位和项目参与人应遵守科研诚信管理要求，项目负责人应承诺所提交材料真实性，申报单位应当对申请人的申请资格负责，并对申请材料的真实性和完整性进行审核，不得提交有涉密内容的项目申请。

4.申报项目若提出回避专家申请的，须在提交项目可行性方案的同时，上传由申报单位出具公函提出回避专家名单与理由。

5.所有申报单位和项目参与人应遵守科技伦理准则。拟开展的科技活动应进行科技伦理风险评估，涉及科技部《科技伦理审查办法（试行）》（国科发监〔2023〕167号）第二条所列范围科技活动的，应按要求进行科技伦理审查并提供相应的科技伦理审查批准材料。

6.所有申报单位和项目参与人应遵守人类遗传资源管理相关法规和病原微生物实验室生物安全管理相关规定。

7.已作为项目负责人承担市科委科技计划在研项目2项及以上者，不得作为项目负责人申报。

8.项目经费预算编制应当真实、合理，符合市科委科技计划项目经费管理的有关要求。

9.每位项目负责人申报项目不超过1项。单个产品单个适应症仅可申报1次。

10.参与企业须为所应用或研究产品的上市许可持有人或注册人；所应用或研究的创新药械产品应在本市实现产出，纳入《上海市生物医药“新优药械”产品目录》的产品优先；申报各专题方向1的牵头和参与医疗机构应具有使用创新药械产品示范应用的合规条件，应用示范产品已经或即将入院应用。

11.申报时须提供创新药械产品注册批件、创新药械产品应用示范项目申报承诺书（包含牵头单位及参与单位的承诺书）等相关材料。

三、申报方式

【继续填写】使用“一网通办”登录后，继续该项目的填报。

有关操作可参阅在线帮助。

2.项目网上填报起始时间为2024年9月29日9:00，截止时间（含申报单位网上审核提交）为2024年10月22日16:30。

四、评审方式

采用一轮通讯评审方式。

五、立项公示

上海市科学技术委员会将按规定向社会公示拟立项项目清单，接受公众异议。

六、咨询电话

服务热线：

（座机）

（手机）

上海市科学技术委员会

2024年9月20日

附件：

上海市创新药械产品应用示范项目

申报承诺书（模板）

关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”6G前沿技术领域项目申报指南的通知

为深入实施创新驱动发展战略，加快建设具有全球影响力的科技创新中心，根据《上海市建设具有全球影响力的科技创新中心“十四五”规划》，上海市科学技术委员会发布2024年度“科技创新行动计划”6G前沿技术领域项目申报指南。

一、征集范围

专题、6G颠覆性前瞻技术创新

方向1.6G手机直连卫星的同频干扰与频谱共享关键技术

研究目标：面向手机直连卫星场景下频谱高效利用的需求，提出星地同频干扰分析模型与频谱动态接入策略，并构建原型系统，支持≥10000颗卫星规模星座的验证，星地干扰模型的重构准确度≥95%，相较于3GPP5G标准策略，星地频谱利用率提升≥20%。

研究内容：面向6G非地面网络中低轨卫星和地面移动通信网络的频率干扰复杂性挑战，发展星地频率干扰模型与频谱共享机制，优化频谱资源利用率，提高通信服务质量。重点研究手机直连卫星场景下同频干扰机理，提出基于星地用户/地面站的干扰分析模型，设计支持频域、时域、空域多维度共享的新型频谱动态接入策略，构建面向手机直连场景的星地通信原型系统，并对频谱接入策略进行技术验证。

执行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

经费额度：非定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度不超过500万元。

申报主体要求：本市的法人或非法人组织。

方向2.透射智能超表面高阶电磁调制通信技术

研究目标：面向6G大规模天线低功耗、低成本需求，揭示智能超表面高阶电磁调制机理，建立智能超表面单元与常规天线单元的功能映射关系，构建无数字基带的宽带透射智能超表面高阶电磁调制的原型收发系统，满足波束方向、宽度的可控性要求，动态波束控制时延小于1ms，能够跟踪大于3km/h的用户运动，支持256QAM电磁调制，与同等性能的多天线系统相比功耗降低20%。

研究内容：研究智能超表面对电磁波幅度、相位等特性动态灵活调控相关物理机理，探讨智能超表面单元的宽带电磁调谐机理与实现方法，形成智能超表面阵列散射动态编程调控的综合设计方法；研究智能超表面的高阶电磁调制技术、多流波束生成技术、波束与电磁调制同步控制技术；研究信道建模技术，形成智能超表面基础物理模型、基于统计几何、射线追踪或混合的智能超表面信道模型框架；研制无数字基带的宽带透射智能超表面阵列及高阶电磁调制的原型收发系统，并开展测试验证。

执行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

经费额度：非定额资助，拟支持不超过2个项目，每项资助额度不超过500万元。

申报主体要求：本市的法人或非法人组织。

方向3.6G无线信息中心网络赋能AI关键技术

研究目标：面向6G网络赋能AI的应用需求，研发基于无线信息中心网络的多维度无线网络资源智能感知、边缘算力效能提升等关键技术，完成面向6G应用的分布式AI训练与推理、模型高效验证与部署等原型验证，与5G系统相比网络边缘算力利用率提升不低于25%。

研究内容：围绕6G与AI深度融合场景下无线网络资源发掘所面临的技术挑战，探索基于无线信息中心网络的环境信息、频谱资源、算力资源、6G数据面等多维度无线网络资源的智能感知机制；研究以信息为中心的分布式边缘缓存、异构多连接、泛在算力效能优化等关键技术，提升网络边缘算力的利用率；研制无线信息中心网络赋能AI的原型系统，开展分布式AI训练与推理、模型验证与部署、云边协同等原型验证，牵头在ITU、IMT-2030推进组等国内外标准组织完成标准立项1项。

执行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

经费额度：非定额资助，拟支持不超过1个项目，每项资助额度不超过500万元。

申报主体要求：本市的法人或非法人组织。

方向4.6G毫米波、太赫兹射频芯片关键技术

研究目标：面向6G毫米波、太赫兹高频段通信需求，突破基于国产工艺的射频通信芯片关键技术，为高带宽低功耗6G设备提供技术支撑。

研究内容：研究基于国产工艺的异质集成、异构集成等方法，突破功率效率、多频段超高集成、超低功耗高可靠性、可重构性和通感一体等技术瓶颈，完成6G毫米波、太赫兹高频段射频芯片样品开发。

执行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

经费额度：非定额资助，拟支持不超过3个项目，每项资助额度不超过300万元。

申报主体要求：本市的法人或非法人组织。

二、申报要求

除满足前述相应条件外，还须遵循以下要求：

1.项目申报单位应当是注册在本市的法人或非法人组织，具有组织项目实施的相应能力。

2.对于申请人在以往市级财政资金或其他机构（如科技部、国家自然科学基金等）资助项目基础上提出的新项目，应明确阐述二者的异同、继承与发展关系。

3.所有申报单位和项目参与人应遵守科研诚信管理要求，项目负责人应承诺所提交材料真实性，申报单位应当对申请人的申请资格负责，并对申请材料的真实性和完整性进行审核，不得提交有涉密内容的项目申请。

4.申报项目若提出回避专家申请的，须在提交项目可行性方案的同时，上传由申报单位出具公函提出回避专家名单与理由。

5.所有申报单位和项目参与人应遵守科技伦理准则。拟开展的科技活动应进行科技伦理风险评估，涉及科技部《科技伦理审查办法（试行）（国科发监〔2023〕167号）第二条所列范围科技活动的，应按要求进行科技伦理审查并提供相应的科技伦理审查批准材料。

6.已作为项目负责人承担市科委科技计划在研项目2项及以上者，不得作为项目负责人申报。

7.项目经费预算编制应当真实、合理，符合市科委科技计划项目经费管理的有关要求。

三、申报方式

【继续填写】使用“一网通办”登录后，继续该项目的填报。

有关操作可参阅在线帮助。

2.项目网上填报起始时间为2024年9月30日9:00，截止时间（含申报单位网上审核提交）为2024年10月23日16:30。

四、评审方式

采用第一轮通讯评审、第二轮见面会评审方式。

五、立项公示

上海市科学技术委员会将按规定向社会公示拟立项项目清单，接受公众异议。

六、咨询电话

服务热线：（座机）、（手机）

上海市科学技术委员会

2024年9月23日

关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”脑机接口项目指南的通知

为深入实施创新驱动发展战略，加快建设具有全球影响力的科技创新中心，根据《上海市建设具有全球影响力的科技创新中心“十四五”规划》，强化本市脑机接口科技创新，加速未来产业培育，上海市科学技术委员会特发布本指南。

一、征集范围

专题一、产品研发与临床评价

方向1.言语合成脑机接口产品

研究目标：帮助失语患者实现部分语言功能恢复。

研究内容：研发可长期稳定在体植入1年以上的脑机接口产品，实现汉语合成输出，覆盖汉语普通话418个基本音节和4个声调，汉语语句合成速度不低于60字/分钟，准确率不低于90%。开展临床评价，并获得第三类医疗器械注册申请受理号。

里程碑1：完成产品研发与第三方型式检验，完成3-5例安全性试验，进入第三类创新医疗器械特别审查程序。

里程碑2：完成临床试验，形成临床试验报告。

里程碑3：提交第三类医疗器械注册申请并获得注册申请受理号。

执行期限：2024年12月1日至2027年5月31日。

经费额度：非定额资助，拟支持1个项目，拟投入专项资助经费不超过1000万元。企业投入研发经费与申请资助经费之比不低于2:1。完成里程碑1拨付专项资助经费30%，完成里程碑2拨付专项资助经费50%，完成里程碑3并通过验收拨付专项资助经费20%。

申报主体要求：本市企业牵头，联合本市三甲医院共同申报。

方向2.意念控制脑机接口产品

研究目标：帮助瘫痪患者实现意念控制通用数字设备。

研究内容：研发可长期稳定在体植入1年以上的脑机接口产品，实现瘫痪患者通过运动想象高精度控制光标（人机交互速率不低于5比特/秒），算法在线解码准确率不低于85%。开展临床评价，并获得第三类医疗器械注册申请受理号。

里程碑1：完成产品研发与第三方型式检验，完成3-5例安全性试验，进入第三类创新医疗器械特别审查程序。

里程碑2：完成临床试验，形成临床试验报告。

里程碑3：提交第三类医疗器械注册申请并获得注册申请受理号。

执行期限：2024年12月1日至2027年5月31日。

经费额度：非定额资助，拟支持1个项目，拟投入专项资助经费不超过1000万元。企业投入研发经费与申请资助经费之比不低于2:1。完成里程碑1拨付专项资助经费30%，完成里程碑2拨付专项资助经费50%，完成里程碑3并通过验收拨付专项资助经费20%。

申报主体要求：本市企业牵头，联合本市三甲医院共同申报。

方向3.神经疾病治疗脑机接口产品

研究目标：为难治性癫痫患者，提供精准闭环调控治疗方案。

研究内容：研发可长期稳定在体植入1年以上的脑机接口产品，研究个体化、高精度的癫痫网络闭环调控方法，实现针对不同患者的个性化闭环调控治疗，癫痫发作次数减少60%以上，应答率不低于55%。开展临床评价，并获得三类医疗器械产品注册申请受理号。

里程碑1：完成产品研发与第三方型式检验，完成3-5例安全性试验，进入第三类创新医疗器械特别审查程序。

里程碑2：完成临床试验，形成临床试验报告。

里程碑3：提交第三类医疗器械注册申请并获得注册申请受理号。

执行期限：2024年12月1日至2027年5月31日。

经费额度：非定额资助，拟支持1个项目，拟投入专项资助经费不超过1000万元。企业投入研发经费与申请资助经费之比不低于2:1。完成里程碑1拨付专项资助经费30%，完成里程碑2拨付专项资助经费50%，完成里程碑3并通过验收拨付专项资助经费20%。

申报主体要求：本市企业牵头，联合本市三甲医院共同申报。

方向4.非侵入式脑机接口产品

研究目标：推动非侵入式脑机接口产品实现临床应用。

里程碑1：完成产品研发与型式检验，完成3-5例安全性试验，进入创新医疗器械特别审查程序。

里程碑2：完成临床试验，形成临床试验报告。

里程碑3：提交医疗器械注册申请并获得注册申请受理号。

执行期限：2024年12月1日至2027年5月31日。

经费额度：非定额资助，每项研究内容拟支持不超过1个项目，每项拟投入专项资助经费不超过200万元。企业投入研发经费与申请资助经费之比不低于2:1。完成里程碑1拨付专项资助经费30%，完成里程碑2拨付专项资助经费50%，完成里程碑3并通过验收拨付专项资助经费20%。

申报主体要求：本市企业牵头，联合本市三甲医院或康复医院共同申报。

专题二、共性技术研发服务平台建设

方向1.脑机接口数据开放共享平台

研究目标：建设全球领先的颅内脑电数据开放共享平台，为脑机接口企业、医学研究人员、临床医生提供高质量、标准化的脑电临床数据资源和分析工具。

研究内容：研究颅内脑电数据采集、标注规范，面向不同解码任务，构建不少于1000例患者的高质量标注颅内脑电数据库，涵盖高质量颅内脑电信号（每例连续采集时间不低于72小时）、影像数据、认知评估量表等数据。制定数据脱敏与开放共享机制，支撑脑机接口企业、科研团队，面向意念控制、言语合成、神经疾病治疗、视觉重建等应用，开展数据驱动的脑电解码算法研发。

执行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

经费额度：非定额资助，拟支持1个项目，拟投入专项资助经费不超过500万元。

专题三、脑机接口应用示范

方向1.脑机接口产品应用示范与商业模式探索

研究目标：在养老康复、教育体育、工业安全、文化娱乐等领域，培育脑机接口创新应用，探索新模式。

研究内容：面向养老康复、教育体育、工业安全、文化娱乐领域需求痛点，研究脑机接口产品与智能设备的融合解决方案，开展创新应用研究，验证商业模式。

执行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

经费额度：定额资助，拟支持不超过4个项目，每项拟投入专项资助经费50万元。企业投入研发经费与申请资助经费之比不低于2:1。

申报主体要求：本市企业。

专题四、标准规范与检测技术研究

方向1.脑机接口产品加速测试技术研究

研究目标：强化脑机接口医疗器械产品检验检测技术水平和能力，提升产品型式检验效率。

研究内容：研究植入式脑机接口医疗器械电极可靠性加速寿命测试方法，构建体外模拟测试环境，开发相应检测工装，实现测试速率提升10倍以上，并行电极检测能力不低于64通道。开发仿生理微动力学加载下电极有效性测试工装，实现模拟呼吸/心跳对脑组织内电极产生的微动效应，振动幅度0-50μm、支持1-100kHz范围电极阻抗谱、电极阻抗截止频率等力-电化学耦合测试。构建脑电信号解码算法测试评价标准数据集（数据存量不低于200例）。制定脑机接口解码算法评价方案，开发算法评估测试软件。完成不少于5个侵入式、半侵入式产品的检验检测。制定脑机接口医疗器械相关行业标准2项。

执行期限：2024年12月1日至2026年11月30日。

经费额度：非定额资助，拟支持1个项目，拟投入专项资助经费不超过500万元。

二、申报要求

除满足前述相应条件外，还须遵循以下要求：

1.项目申报单位应当是注册在本市的法人或非法人组织，具有组织项目实施的相应能力。

2.对于申请人在以往市级财政资金或其他机构（如科技部、国家自然科学基金等）资助项目基础上提出的新项目，应明确阐述二者的异同、继承与发展关系。

3.所有申报单位和项目参与人应遵守科研诚信管理要求，项目负责人应承诺所提交材料真实性，申报单位应当对申请人的申请资格负责，并对申请材料的真实性和完整性进行审核，不得提交有涉密内容的项目申请。

4.申报项目若提出回避专家申请的，须在提交项目可行性方案的同时，上传由申报单位出具公函提出回避专家名单与理由。

5.所有申报单位和项目参与人应遵守科技伦理准则。拟开展的科技活动应进行科技伦理风险评估，涉及科技部《科技伦理审查办法（试行）》（国科发监〔2023〕167号）第二条所列范围科技活动的，应按要求进行科技伦理审查并提供相应的科技伦理审查批准材料。

6.所有申报单位和项目参与人应遵守人类遗传资源管理相关法规和病原微生物实验室生物安全管理相关规定。

7.已作为项目负责人承担市科委科技计划在研项目2项及以上者，不得作为项目负责人申报。

8.项目经费预算编制应当真实、合理，符合市科委科技计划项目经费管理的有关要求。

三、申报方式

【继续填写】使用“一网通办”登录后，继续该项目的填报。

2.项目网上填报起始时间为2024年9月30日9:00，截止时间（含申报单位网上审核提交）为2024年10月23日16:30。

四、评审方式

采用一轮会议评审方式。

五、立项公示

上海市科委将向社会公示拟立项项目清单，接受公众异议。

六、咨询电话

服务热线：（座机）、（手机）

上海市科学技术委员会

2024年9月23日

政策合集|上海市2024年度“科技创新行动计划”多个专项申报指南

以上内容经小编综合整理，仅供参考，具体请以官方发布最新政策和申报情况为准。

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